Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSR4N60BTF
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSR4N60BTF
SSR4N60BTF Hakkında
SSR4N60BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 25°C'de 2.8A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 2.5Ohm RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. Anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 29nC olup, kontrol devreleri için uygun bir tasarım sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok