Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSR2N60BTF
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSR2N60BTF
SSR2N60BTF Hakkında
SSR2N60BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketlemesi ile sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç denetim uygulamalarında kullanılır. 5Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 2.5W (Ta) ve 44W (Tc) güç tüketim kapasitesine karşılık gelir. Gate şarj (Qg) 17nC ve giriş kapasitansi (Ciss) 490pF olarak belirtilmiş. Endüstriyel denetim, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok