Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSR2N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSR2N60B
SSR2N60B Hakkında
SSR2N60B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 1.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, elektrik şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 17nC gate charge ve 490pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok