Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSR1N60BTM
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSR1N60BTM
SSR1N60BTM Hakkında
SSR1N60BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 900mA sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 12Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Düşük gate charge (7.7nC) hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 215 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 450mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok