Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSP3N80A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SSP3N80A

SSP3N80A Hakkında

SSP3N80A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürüş geriliminde 4.8Ω RDS(on) değerine ve 35nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 100W güç dağıtabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve switching regülatör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 850mA, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok