Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSP2N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSP2N60B
SSP2N60B Hakkında
SSP2N60B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 5Ω (1A, 10V) RDS(on) değeri ile düşük elektrik direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 54W maksimum güç dağıtımına kapasitedir. 10V gate drive voltajında 17nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok