Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSP2N60A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSP2N60A
SSP2N60A Hakkında
SSP2N60A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 5Ω maksimum RDS(On) değeri ile iyi iletkenlik sağlar. 10V gate sürüş gerilimi altında çalışan bu FET, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle AC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde uygulanır. TO-220 paketindeki Through Hole montajı ile standart PCB tasarımlarına uyumludur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışabilir ve maksimum 54W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok