Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSP1N60A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSP1N60A
SSP1N60A Hakkında
SSP1N60A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim yeteneği ve 1A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 12Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 34W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, AC/DC konvertörleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 11nC gate charge ve 190pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok