Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSP1N50B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSP1N50B
SSP1N50B Hakkında
SSP1N50B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 520V drain-source gerilim desteği ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun olacak şekilde tasarlanmıştır. 1.5A sürekli drenaj akımı ve 36W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. 5.3Ohm on-state direnç değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, TO-220-3 paket formatında sunulmaktadır ve endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanım alanı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 520 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok