Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSN1N45BBU

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
SSN1N45BBU

SSN1N45BBU Hakkında

SSN1N45BBU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 450V drain-source voltaj ve 500mA sürekli drain akımı ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 4.25Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SSN1N45BBU, ev aletleri, power supply devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alan anahtarlama ve düzenleme uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±50V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok