Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM6K518NU,LF

MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SSM6K518NU

SSM6K518NU,LF Hakkında

SSM6K518NU,LF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 6-WDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 33mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±8V gate gerilimi aralığında çalışır, threshold gerilimi 1V'dir. 150°C'ye kadar işletilebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 1.25W maksimum güç disipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok