Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM6K514NU,LF

MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SSM6K514NU

SSM6K514NU,LF Hakkında

SSM6K514NU,LF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşendir. 6-WDFN yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 11.6mOhm maksimum on-direnci (RDS(on)) ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Gate charge değeri 7.5nC olup, hızlı komütasyon uygulamalarına uygundur. ±20V gate voltaj aralığında çalışan bu MOSFET, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok