Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM6K361NU,LF

MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SSM6K361NU

SSM6K361NU,LF Hakkında

SSM6K361NU,LF, Toshiba tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6-WDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 69mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. Gate kapasitesi 430pF, gate yükü 3.2nC'dir. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği cihazlarında yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok