Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6K217FE,LF
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6K217FE
SSM6K217FE,LF Hakkında
SSM6K217FE,LF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ve 1.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir bileşendir. 195mΩ (8V, 1A'de) düşük on-direnç değeri ile enerji kaybını minimize eder. ±12V Gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta işletilir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (1.1nC @ 4.2V) hızlı anahtarlama işlemini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.2 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 1A, 8V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok