Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6K202FE,LF
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6K202FE
SSM6K202FE,LF Hakkında
SSM6K202FE,LF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, küçük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4V gate geriliminde 85mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-563/ES6 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 150°C maksimum junksiyon sıcaklığında stabil çalışır. Mobil cihazlar, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±12V maksimum gate gerilim aralığında 1V gate-threshold gerilimi ile hızlı açılıp kapanma özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.5A, 4V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok