Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J771G,LF
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J771G
SSM6J771G,LF Hakkında
SSM6J771G,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 6-UFBGA/WLCSP paketinde sunulan bu bileşen, 8.5V gate geriliminde 31mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile karakterizedir. 9.8nC gate yükü ve 870pF giriş kapasitesi özellikleri ile düşük güç kayıpları sağlar. 1.2V eşik gerilimi (Vgs th) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±12V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışabilir ve 150°C'ye kadar işletilmek üzere tasarlanmıştır. Güç yönetimi, batarya şarj denetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 3A, 8.5V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok