Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J53FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J53FE
SSM6J53FE(TE85L,F) Hakkında
Toshiba SSM6J53FE(TE85L,F), P-Channel MOSFET transistör olup 20V drain-source gerilimi ile 1.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.5V gate geriliminde 136mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate yükü 10.6nC ve giriş kapasitanı 568pF'dir. 150°C çalışma sıcaklığına ve 500mW güç tüketimine dayanıklıdır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve benzer düşük voltaj kontrol sistemlerinde kullanılır. Cihazın üretimi sonlandırılmış (obsolete) olup, veri sayfası teknik referans için incelenmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 2.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 568 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 136mOhm @ 1A, 2.5V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok