Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J512NU,LF
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J512NU
SSM6J512NU,LF Hakkında
SSM6J512NU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (16.2mOhm @ 8V, 4A) ve minimal gate charge (19.5nC) özellikleri sayesinde verimli güç yönetimi sağlar. Motor kontrolleri, güç dağıtım sistemleri, batarya yönetim devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok