Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF Hakkında
SSM6J507NU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile çeşitli anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 20mΩ'luk düşük RDS(on) değeri, enerji kaybını minimize ederek verimli çalışma sağlar. 6-WDFN (2x2mm) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, pil yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, enerji dağıtım sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve 1.25W güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok