Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J505NU
SSM6J505NU,LF Hakkında
SSM6J505NU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı pakette sunulur. 4.5V gate geriliminde 12mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, düşük açılış direnci gerektiren uygulamalarda kullanılır. -150°C'ye kadar çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devre tasarımları, batarya koruma devreleri ve düşük gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 37.6nC gate charge ve 2700pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok