Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J503NU
SSM6J503NU,LF Hakkında
SSM6J503NU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 32.4mΩ on-resistance değerine sahiptir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilir. Düşük güç tüketimi (1W) ve minimal gate charge (12.8nC) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve portatif cihazlarda kullanılır. ±8V maksimum gate-source gerilim sınırı ve 1V gate-source threshold gerilimi ile hızlı ve güvenilir anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok