Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J501NU,LF
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J501NU
SSM6J501NU,LF Hakkında
SSM6J501NU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 6-WDFN (2x2mm) yüzey monte pakette sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde 15.3mOhm on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 29.9nC gate yükü ve 2600pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. ±8V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörler, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok