Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J412TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF Hakkında
SSM6J412TU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. UF6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 42.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 12.8nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. ±8V maksimum gate gerilimi ve -150°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir P-Channel MOSFET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.7mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | UF6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok