Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J216FE,LF
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF Hakkında
SSM6J216FE,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 4.8A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 32mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. SOT-563/ES6 yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve düşük gerilim motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±8V gate-source gerilim aralığında çalışır ve -40°C ile 150°C arasında stabil performans gösterir. 700mW maksimum güç tüketimiyle kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok