Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J215FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J215FE
SSM6J215FE(TE85L,F Hakkında
SSM6J215FE(TE85L,F, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 59mOhm (4.5V, 3A) düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. SOT-563 (ES6) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±8V maksimum gate gerilimi, 10.4nC gate yükü ve 150°C çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok