Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J214FE
SSM6J214FE(TE85L,F Hakkında
SSM6J214FE(TE85L,F, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.6A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamaları için uygundur. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-563 (ES6) yüksek yoğunluk paketleme ile tasarlanmış, yüzey montajlı uygulamalar için idealdir. -150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. Anahtarlama hızlı, 7.9nC gate charge ile düşük çalışma enerjisi tüketimi sunar. Güç yönetimi, batarya koruma devreleri, DC-DC konvertörler ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok