Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J213FE
SSM6J213FE(TE85L,F Hakkında
SSM6J213FE, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (103mOhm @ 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verim kaybını azaltır. SOT-563/SOT-666 paketinde sunulan component, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 4.7nC gate charge ve 290pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç yönetimi, load switching, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok