Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J207FE
SSM6J207FE,LF Hakkında
SSM6J207FE,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-563 (ES6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 251mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışmaktadır. Maksimum 500mW güç tüketimi ile düşük ve orta güç anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücüler, çıkış kontrol devreleri ve load switch uygulamalarında tercih edilir. 137pF input kapasitansı hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 137 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 251mOhm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | ES6 (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok