Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6J206FE
SSM6J206FE(TE85L,F Hakkında
SSM6J206FE(TE85L,F, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 130mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. SOT-563/ES6 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve düşük güç tüketicili elektronik tasarımlarda kullanılır. ±8V maksimum Vgs ile kontrol edilebilen bu FET, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına sahiptir ve 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 335 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1A, 4V |
| Supplier Device Package | ES6 (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok