Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SSM6H19NU

SSM6H19NU,LF Hakkında

SSM6H19NU,LF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 185mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 6-UDFN (2x2mm) Surface Mount paket içinde gelen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. ±12V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1A, 8V
Supplier Device Package 6-UDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok