Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM6G18NU,LF
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM6G18NU
SSM6G18NU,LF Hakkında
SSM6G18NU,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN SMD pakette sunulan bu transistör, 112mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. Entegre Schottky diyotu sayesinde ters akım koruması sunmaktadır. Cep telefonları, tablet bilgisayarlar, USB güç yönetimi devreleri ve batarya şarj sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. ±8V gate gerilimi aralığında çalışır, maksimum 1W güç tüketir ve 150°C'ye kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-µDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok