Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM5G10TU(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F) Hakkında
SSM5G10TU(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Surface mount UFV paketinde sunulan bu bileşen, 213mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. İzole Schottky diyot özelliğine sahiptir. ±8V kapı gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığına dayanır. Düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 500mW maksimum güç tüketimi ile kompakt ve verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 213mOhm @ 1A, 4V |
| Supplier Device Package | UFV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok