Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM3K316T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 4A TSM

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SSM3K316T

SSM3K316T(TE85L,F) Hakkında

SSM3K316T(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 53mΩ on-resistance (10V, 3A) değeri ile minimum enerji kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, portable cihazlar, batarya yönetimi devreleri, AC/DC adaptörler ve düşük voltaj güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±12V gate voltaj aralığında çalışır ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında 700mW güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TSM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok