Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM3K309T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SSM3K309T

SSM3K309T(TE85L,F) Hakkında

SSM3K309T(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı ile çalışmaktadır. TO-236-3/SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç dijital lojik devreleri gibi alanlarda kullanılır. 31mΩ tipik RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±12V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. Maximum 700mW güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığı ile kompakt tasarımlar için uygundur. Mobil cihazlar, LED sürücüleri ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4A, 4V
Supplier Device Package TSM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok