Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3K303T
SSM3K303T(TE85L,F) Hakkında
SSM3K303T(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 2.9A sürekli drenaj akımı ile karakterize edilen bu bileşen, düşük güç uygulamalarında gerilim kontrolü ve sinyal anahtarlaması için kullanılır. 83mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) ile verimliliği artırırken, 700mW güç tüketimi limiti kompakt tasarımlara imkan tanır. TSM (SOT-23-3) paketinde sunulan komponent, ±20V gate gerilim aralığı ve 2.6V eşik gerilimi ile çeşitli kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok