Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3K2615R,LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
- Paket/Kılıf
- SOT-23F
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3K2615R
SSM3K2615R,LF Hakkında
SSM3K2615R,LF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 2A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 300mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2V @ 1mA olup, ±20V maksimum gate-source gerilim toleransına sahiptir. 150pF input kapasitesi (Ciss) ve 1W maksimum güç tüketimi ile kompakt uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve düşük voltaj sinyal işleme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok