Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J66MFV,L3XHF
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF Hakkında
SSM3J66MFV, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim ve 800mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 4.5V kapı geriliminde 390mΩ maksimum RDS(on) değeri sunarak verimli anahtarlama sağlar. Gate Charge değeri 1.6nC olup hızlı komütasyon özelliği gösterir. 150°C işletme sıcaklığına ve 150mW maksimum güç dağılımına dayanıklıdır. Automotive AEC-Q sertifikasına sahip olup mobil elektronikler, güç yönetimi devreleri, enerji hasadı uygulamaları ve pil yönetim sistemlerinde kullanılır. Surface mount SOT-723 paketi nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup kompakt cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VESM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +6V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok