Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3F Hakkında
SSM3J66MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile 800mA sürekli drenaj akımı sağlar. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 390mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 1.6nC gate charge ve 100pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve 150mW güç tüketimi limitasyonu ile güç yönetimi devrelerinde, sinyal anahtarlamada ve dijital lojik uygulamalarında yer bulur. ±6V/-8V VGS aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VESM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +6V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok