Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J356R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
- Paket/Kılıf
- SOT-23F
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J356R
SSM3J356R,LXHF Hakkında
SSM3J356R, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. -60V drain-source voltajı ve 2A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 300mΩ (10V, 1A'da) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve batarya koruma sistemlerinde yer alır. AECQ kalifikasyonlu yapısıyla otomotiv uygulamalarına uygun olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. 8.3nC gate charge ve 330pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok