Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
- Paket/Kılıf
- SOT-23F
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J356R
SSM3J356R,LF Hakkında
SSM3J356R,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge değeri (8.3 nC) ve 300mOhm maksimum RDS(on) direnci ile etkin güç yönetimi sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 1W güç disipasyonu toleransına sahiptir. Uygulamalar arasında anahtarlama devreleri, güç dağıtım sistemleri, yük yönetimi ve batarya koruma devreleri bulunur. Input kapasitesi 330 pF'dir ve ±20V gate-source gerilim aralığında güvenli işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok