Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM3J353F,LF

MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SSM3J353F

SSM3J353F,LF Hakkında

SSM3J353F,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 2A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük geçiş direnci ile karakterizedir. 600mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan SSM3J353F, anahtarlama uygulamaları, yük kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -25V ile +20V arasında gate gerilimi toleransı sunar ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanıklıdır. Düşük gate charge (3.4nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 159 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package S-Mini
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +20V, -25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok