Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J352F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J352F
SSM3J352F,LF Hakkında
SSM3J352F,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 2A maksimum drain akımı ile çalışmaktadır. S-Mini (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 110mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 1.8V ve 10V sürüş voltajlarında çalışabilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığına dayanır ve 1.2W güç dağıtımı yapabilir. Gate charge değeri 5.1nC (4.5V'da) olup, input kapasitansi 210pF'dir. ±12V maksimum gate-source gerilimi destekler. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve inverter tasarımlarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri ve kompakt paket boyutu ile space-constrained uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok