Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J331R,LF
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
- Paket/Kılıf
- SOT-23F
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J331R
SSM3J331R,LF Hakkında
SSM3J331R,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 55mOhm RDS(on) direncine sahiptir. ±8V gate gerilimi aralığında çalışır ve maksimum 150°C işletme sıcaklığına dayanır. Düşük gate charge (10.4 nC) ve kompakt boyutu sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 1W maksimum güç tüketimi ile verimli çalışan bu transistör, elektronik cihazlarda sıklıkla tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok