Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM3J325F,LF

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SSM3J325F

SSM3J325F,LF Hakkında

SSM3J325F,LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. S-MINI (SOT-23-3) paket türünde sunulan bu bileşen, 150mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 600mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Gate charge 4.6nC ve input capacitance 270pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -150°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlayan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package S-Mini
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok