Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J321T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J321T
SSM3J321T(TE85L,F) Hakkında
SSM3J321T(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 46mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 700mW güç dissipasyonu ve ±8V gate voltajı aralığı ile, pil yönetim devreleri, LED sürücüleri ve akü koruma sistemlerinde yer alır. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan kompakt tasarım, tüketici elektroniği ve endüstriyel uygulamalar için uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığına dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok