Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J307T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J307T
SSM3J307T(TE85L,F) Hakkında
SSM3J307T, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 31mOhm on-resistance (RDS On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) paket tipi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. Mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 700mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1170 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok