Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J306T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J306T
SSM3J306T(TE85L,F) Hakkında
SSM3J306T(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 2.4A sürekli dren akımını destekleyen bu kompakt bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Maksimum 117mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. ±20V Vgs sınırı ile çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklığa dayanıklıdır. Güç tüketimi maksimum 700mW olarak tasarlanmıştır. 2.5nC kapı yükü ve 280pF giriş kapasitansi ile hızlı komutasyona uygundur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında kullanılır. Not: Bileşen ticari olarak üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok