Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSM3J168F,LXHF
SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF Hakkında
SSM3J168F,LXHF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 60V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 400mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, düşük açık direnç (1.55Ω @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilebilen bu P-Channel MOSFET, güç yönetimi, LED sürücüsü, pil koruma devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklı yapısı, geniş sıcaklık aralığında güvenilir işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok