Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSM3J14TTE85LF

MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SSM3J14

SSM3J14TTE85LF Hakkında

SSM3J14TTE85LF, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile gerilim kontrol, anahtar ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı gerilimi altında maksimum 85mOhm on-resistance değeri ile düşük ısıl kaybı sağlar. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paket formatında sunulan komponent, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve entegre devre arayüz uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 700mW güç tüketiminde tasarlanmıştır. ±20V kapı gerilimi sınırları ile geniş çalışma aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V
Supplier Device Package TSM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok