Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSI7N60BTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSI7N60BTU
SSI7N60BTU Hakkında
SSI7N60BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, elektrik motor kontrol sistemleri, AC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 1.2Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 147W (Tc) maksimum güç saçımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok